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南大光電產(chǎn)業(yè)突破|國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠誕生

   2021-07-23 1310
核心提示:12月17日晚,南大光電發(fā)布公告稱,公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成功通過(guò)客戶使用認(rèn)證,這標(biāo)志著ArF光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化取得了
 1217日晚,南大光電發(fā)布公告稱,公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成功通過(guò)客戶使用認(rèn)證,這標(biāo)志著ArF光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化取得了關(guān)鍵性突破。ArF光刻膠材料是集成電路制造領(lǐng)域的重要關(guān)鍵材料,對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體自主研發(fā)及國(guó)產(chǎn)化意義重大。

歷時(shí)四年研發(fā)攻克ArF光刻膠

  國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)獲得重大突破!國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠在南大光電誕生。這是南大光電歷時(shí)四年自主研發(fā)的成果。

  “ArF光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化是寧波南大光電承接國(guó)家“02專項(xiàng)的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目,于2017年開(kāi)始研發(fā),至今已近四年。

  認(rèn)證評(píng)估報(bào)告顯示,本次認(rèn)證選擇客戶50nm閃存產(chǎn)品中的控制柵進(jìn)行驗(yàn)證,寧波南大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品測(cè)試各項(xiàng)性能滿足工藝規(guī)格要求,良率結(jié)果達(dá)標(biāo)。

  南大光電在公告中表示,本次產(chǎn)品認(rèn)證的通過(guò),標(biāo)志著“ArF光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破,成為國(guó)內(nèi)通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證的支國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠,為全面完成項(xiàng)目目標(biāo)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

ArF光刻膠材料是集成電路制造領(lǐng)域的重要關(guān)鍵材料,可以用于90nm~14nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝。廣泛應(yīng)用于高端芯片制造,包括邏輯芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存儲(chǔ)器和云計(jì)算芯片等。
20181222日,南大光電曾披露上述項(xiàng)目可行性研究報(bào)告,此次實(shí)現(xiàn)突破的為193nmArF光刻膠。

  在今年半年報(bào)中,公司披露,193nm光刻膠作為當(dāng)前高端芯片制造中為核心的原材料,被譽(yù)為半導(dǎo)體工業(yè)的血液,可以用于90nm~14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝。

  截至今年6月底,公司安裝完成一條193nm光刻膠生產(chǎn)線,用于產(chǎn)品檢測(cè)的光刻機(jī)也已完成安裝,產(chǎn)線和光刻機(jī)均處于調(diào)試階段。

  上述項(xiàng)目投資6.56億元,根據(jù)規(guī)劃,南大光電將達(dá)到年產(chǎn)25193nm(ArF干式和浸沒(méi)式)光刻膠產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模,以滿足集成電路行業(yè)的需求。

  市場(chǎng)認(rèn)為,ArF光刻膠的市場(chǎng)前景好于預(yù)期。隨著國(guó)內(nèi)IC行業(yè)的快速發(fā)展,自主創(chuàng)新和國(guó)產(chǎn)化步伐的加快,以及先進(jìn)制程工藝的應(yīng)用,將大大拉動(dòng)光刻膠的用量。

南大光電表示,目前與客戶的產(chǎn)品銷售與服務(wù)協(xié)議尚在協(xié)商之中。同時(shí),ArF光刻膠的復(fù)雜性決定了其在穩(wěn)定量產(chǎn)階段仍然存在工藝上的諸多風(fēng)險(xiǎn),其在應(yīng)用工藝的改進(jìn)、完善等方面的表現(xiàn),都會(huì)決定ArF光刻膠的量產(chǎn)規(guī)模和經(jīng)濟(jì)效益。

 

多途布局半導(dǎo)體材料助力國(guó)產(chǎn)化

  不僅僅是光刻膠,南大光電還積極布局電子特氣等多種半導(dǎo)體材料,助力集成電路產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化。

  官網(wǎng)顯示,南大光電的歷史起源于1986年,技術(shù)來(lái)源于南京大學(xué)。創(chuàng)始人孫祥禎教授開(kāi)始承擔(dān)國(guó)家科委組織的高純度金屬有機(jī)化合物(MO)”國(guó)家七五重點(diǎn)科技攻關(guān)的研究與開(kāi)發(fā),高純?nèi)谆R研發(fā)成功。1991年,研究組向國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料科研和生產(chǎn)需求單位提供多種MO源產(chǎn)品。2000年,開(kāi)發(fā)出適合三甲基鎵、三甲基銦等大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的新工藝,實(shí)施高純?nèi)谆墶⑷谆煛⒍一\、二茂鎂的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

20001228日,南大光電正式成立,201287日,在創(chuàng)業(yè)板掛牌上市。近年來(lái),公司依靠自主研發(fā)創(chuàng)新推進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí),助推中國(guó)集成電路加速國(guó)產(chǎn)化。

  經(jīng)過(guò)多年系列布局,如今的南大光電產(chǎn)業(yè)布局,除了光刻膠外,還有MO源、電子特氣、ALD/CVD前驅(qū)體材料等三大板塊。

  在這三大板塊中,MO源系列產(chǎn)品是制備LED、新一代太陽(yáng)能電池、相變存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料,在半導(dǎo)體照明、信息通訊、航空航天等領(lǐng)域有重要作用。目前,南大光電是全球主要MO源生產(chǎn)商,市占率約為25%,產(chǎn)品主要應(yīng)用于制備LED外延片等,不僅實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代,還遠(yuǎn)銷亞太及歐美地區(qū)。

  電子特氣是集成電路、平面顯示器件、化合物半導(dǎo)體器件、LED、太陽(yáng)能電池、光纖等電子工業(yè)生產(chǎn)中必不可少的基礎(chǔ)和支撐性材料。南大光電生產(chǎn)的高純磷烷、砷烷純度達(dá)到6N級(jí)別,產(chǎn)品在LED行業(yè)取得主要的市場(chǎng)份額。同時(shí),在IC行業(yè),公司實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品進(jìn)口替代。2019年下半年,公司收購(gòu)山東飛源氣體57.97%股權(quán),進(jìn)一步推進(jìn)電子特種氣體業(yè)務(wù)布局。

  高純ALD/CVD前驅(qū)體是整個(gè)電子工業(yè)體系的核心原材料之一,廣泛應(yīng)用于手機(jī)電腦芯片、太陽(yáng)能電池、移動(dòng)通訊、衛(wèi)星導(dǎo)航、航天器等諸多方面,在航空航天、新型太陽(yáng)能電池、電子產(chǎn)品等領(lǐng)域發(fā)揮著巨大作用。南大光電掌握了多種ALD/CVD前驅(qū)體材料的生產(chǎn)技術(shù),并且具備規(guī)模化生產(chǎn)能力,可提供包括TDMAT在內(nèi)的多種產(chǎn)品,部分產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)客戶驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了小批量銷售。

 

南大光電的目標(biāo)是,成為一家國(guó)內(nèi)一流、具備競(jìng)爭(zhēng)力的電子材料企業(yè)。

  技術(shù)驅(qū)動(dòng)的南大光電積極投身研發(fā)。2018年、2019年,公司研發(fā)投入為0.37億元、0.66億元,分別占當(dāng)期營(yíng)業(yè)收入16.37%20.49%

  近幾年,南大光電經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)。2017年至2019年,公司實(shí)現(xiàn)的營(yíng)業(yè)收入為1.77億元、2.28億元、3.21億元,同比增長(zhǎng)74.90%28.76%40.85%。歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)(簡(jiǎn)稱凈利潤(rùn))0.34億元、0.51億元、0.55億元,同比增長(zhǎng)348.28%51.43%7.36%

  今年前三季度,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.29億元、凈利潤(rùn)0.89億元,同比增長(zhǎng)96.15%97%

 

 

 
 









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