1.什么是光刻技術？
光刻技術主要應用在微電子中。它一般是對半導體進行加工，需要一個有部分透光部分不透光的掩模板，通過曝光、顯影、刻蝕等技術獲得和掩模板一樣的圖形。先在處理過后的半導體上涂上光刻膠，然后蓋上掩模板進行曝光；其中透光部分光刻膠的化學成分在曝光過程中發生了變化；之后進行顯影，將發生化學變化的光刻膠腐蝕掉，裸露出半導體；之后對裸露出的半導體進行刻蝕，后把光刻膠去掉就得到了想要的圖形。光刻技術在微電子中占有很大的比重，比如微電子技術的進步是通過線寬來評價的，而線寬的獲得跟光刻技術有很大的關系。
2.光刻膠
光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。光刻膠是一種感光材料，可用于多個工藝（如光刻和凸版印刷） 涂覆在襯底表面上形成圖形。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像制版過程）。
3.光刻膠的分類 光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
光刻技術主要應用在微電子中。它一般是對半導體進行加工，需要一個有部分透光部分不透光的掩模板，通過曝光、顯影、刻蝕等技術獲得和掩模板一樣的圖形。先在處理過后的半導體上涂上光刻膠，然后蓋上掩模板進行曝光；其中透光部分光刻膠的化學成分在曝光過程中發生了變化；之后進行顯影，將發生化學變化的光刻膠腐蝕掉，裸露出半導體；之后對裸露出的半導體進行刻蝕，后把光刻膠去掉就得到了想要的圖形。光刻技術在微電子中占有很大的比重，比如微電子技術的進步是通過線寬來評價的，而線寬的獲得跟光刻技術有很大的關系。
2.光刻膠
光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。光刻膠是一種感光材料，可用于多個工藝（如光刻和凸版印刷） 涂覆在襯底表面上形成圖形。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像制版過程）。
3.光刻膠的分類 光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
