光刻工藝是利用光敏的抗蝕涂層發生光化學反應，結合腐蝕方法在各種薄膜或硅上制備出符合要求的圖形，以實現制作各種電路元件，形成金屬電極和布線或表面鈍化的目的。光刻是加工制造集成電路結構以及微結構的關鍵工藝之一，是MEMS制造工藝中不可缺少的步驟。
光刻三要素：光刻膠，掩膜版和光刻機。光刻膠室友光敏化合物，樹脂等組成的膠狀液體。光刻膠受到特定波長的光線作用后，發生化學變化，是光刻膠在特定溶液中溶解特性改變。光刻膠分為正膠和負膠。
正膠特點：
PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）光刻膠；
由重氮醌酯DQ和酚醛樹脂N兩部分組成的DNQ;
分辨率高，在超大規模集成電路中，一般采用正膠。
負膠特點：
兩種組成部分的芳基氮化物橡膠光刻膠；
分辨率差，適于加工現款≥3μm的線條；粘附力強，耐腐蝕，容易使用，價格便宜，是常用的光刻膠。
正膠：曝光后可溶負膠：曝光后不可溶
光刻膠的性能指標
1.分辨率：分辨率是指用某種光刻膠光刻時所能得到的小尺寸
2.靈敏度：光刻膠的感光靈敏度反映了光刻膠感光所必須的照射量
3.粘附性：光刻膠與襯底之間粘附的牢固程度
4.穩定性：要求光刻膠在室溫和避光情況下加入了增感劑也不發生暗反應，在烘干燥時不發生熱交聯。
5.留膜率：指曝光顯影后的非溶性膠膜厚度與曝光前膠膜厚度之比
此外，還要求光刻膠膜要有一定的抗腐蝕性。
幾種常見的光刻方法
接近式曝光：在硅片和掩膜版之間有一個很小的間隙(10～25μm)，可以大大減少掩膜版的損傷，分辨率低
接觸式光刻：分辨率較高，容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。
投影式曝光：利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上
隨著技術的發展，光刻工藝不斷進步，出現了電子束光刻、離子束光刻、X射線光刻和微粒體光刻成型技術。
光刻三要素：光刻膠，掩膜版和光刻機。光刻膠室友光敏化合物，樹脂等組成的膠狀液體。光刻膠受到特定波長的光線作用后，發生化學變化，是光刻膠在特定溶液中溶解特性改變。光刻膠分為正膠和負膠。
正膠特點：
PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）光刻膠；
由重氮醌酯DQ和酚醛樹脂N兩部分組成的DNQ;
分辨率高，在超大規模集成電路中，一般采用正膠。
負膠特點：
兩種組成部分的芳基氮化物橡膠光刻膠；
分辨率差，適于加工現款≥3μm的線條；粘附力強，耐腐蝕，容易使用，價格便宜，是常用的光刻膠。
正膠：曝光后可溶負膠：曝光后不可溶
光刻膠的性能指標
1.分辨率：分辨率是指用某種光刻膠光刻時所能得到的小尺寸
2.靈敏度：光刻膠的感光靈敏度反映了光刻膠感光所必須的照射量
3.粘附性：光刻膠與襯底之間粘附的牢固程度
4.穩定性：要求光刻膠在室溫和避光情況下加入了增感劑也不發生暗反應，在烘干燥時不發生熱交聯。
5.留膜率：指曝光顯影后的非溶性膠膜厚度與曝光前膠膜厚度之比
此外，還要求光刻膠膜要有一定的抗腐蝕性。
幾種常見的光刻方法
接近式曝光：在硅片和掩膜版之間有一個很小的間隙(10～25μm)，可以大大減少掩膜版的損傷，分辨率低
接觸式光刻：分辨率較高，容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。
投影式曝光：利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上
隨著技術的發展，光刻工藝不斷進步，出現了電子束光刻、離子束光刻、X射線光刻和微粒體光刻成型技術。
