1.美國(guó)UOE 公司于2001 年推出多芯片組合封裝的Norlux 系列LED，其結(jié)構(gòu)是采用六角形鋁板作為襯底，如圖5 所示。鋁層導(dǎo)熱好，中央發(fā)光區(qū)部分可裝配40 只芯片，封裝可為單色或多色組合，也可根據(jù)實(shí)際需求布置芯片數(shù)和金線焊接方式。該封裝的大功率LED 其光通量效率為20lm/W，發(fā)光通量為100lm。
 

2.Lanina Ceramics 公司于2003 年推出采用公司的金屬基板上低溫?zé)Y(jié)陶瓷 LTCC-M 技術(shù)封裝的大功率LED 陣列。有二種產(chǎn)品：一種為7 元LED 陣列，光通量為840lm， 功率為 21W；另一種是134 元LED 陣列，光通量為5360lm，功率134W。由于LTCC-M 技術(shù)是將LED 芯片直接連接到密封陣列配置的封裝盒上，因此工作溫度可達(dá)250C°。
3.松下公司于2003 年推出由64 只芯片組合封裝的大功率白光LED，光通量可達(dá)120lm，采用散熱性能優(yōu)良的襯底，把這些芯片封裝在2cm 的面積中，其驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)8W。這種封裝中每1W輸入功率其溫升僅為 1.2 C°。
4.日亞公司于2003 年推出號(hào)稱(chēng)是全世界亮的白光LED,其光通量可達(dá)600lm,輸出光束為1000lm 時(shí)，耗電量為30W，大輸入功率為50W。提供展覽的白光LED 模塊發(fā)光效率達(dá)33lm/W，如圖六所示。
 

5.LED Tronics 公司發(fā)布一種新型的G25-style Décor LED 型燈泡是組合功率LED。其基座為Edison 螺旋型，可直接替代白熾燈。其功耗為1.0~1.7W，使用壽命長(zhǎng)達(dá)11 年，現(xiàn)可提供產(chǎn)品的發(fā)光顏色包括紅橙黃綠藍(lán)和白，用戶(hù)可自定制選項(xiàng)；霧化彩色燈泡和多色燈泡主要用于裝飾性照明。
    有關(guān)多芯片組合的大功率LED 許多公司根據(jù)實(shí)際市場(chǎng)需求，不斷開(kāi)發(fā)很多新結(jié)構(gòu)封裝的新產(chǎn)品，其開(kāi)發(fā)研制的速度是非?？?。
2 國(guó)內(nèi)功率型LED 封裝技術(shù)
    國(guó)內(nèi)LED 普通產(chǎn)品的后工序封裝能力應(yīng)該是很強(qiáng)的，封裝產(chǎn)品的品種較齊全。據(jù)初步估計(jì)全國(guó)LED 封裝廠超過(guò)200 家，封裝能力超過(guò)200 億只/年。封裝的配套能力也是很強(qiáng)的，但是很多封裝廠為私營(yíng)企業(yè)，目前來(lái)看規(guī)模偏小。
    國(guó)內(nèi)功率型LED 的封裝早在上世紀(jì)九十年代就開(kāi)始，一些有實(shí)力的后封裝企業(yè)當(dāng)時(shí)就開(kāi)始開(kāi)發(fā)并批量生產(chǎn)如食人魚(yú)、功率型LED。國(guó)內(nèi)的大學(xué)研究所很少對(duì)大功率LED 封裝技術(shù)開(kāi)展研究，信息產(chǎn)業(yè)部第13 研究所對(duì)功率型LED 封裝技術(shù)開(kāi)展研究工作并取得很好的研究成果，具體開(kāi)發(fā)出功率LED 產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)有實(shí)力的LED 封裝企業(yè)（外商投資除外），如佛山國(guó)星、廈門(mén)華聯(lián)等幾個(gè)企業(yè)，很早就開(kāi)展功率型LED 的研發(fā)工作并取得較好的效果，如食人魚(yú)和PLCC 封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品均可批量生產(chǎn)，并已研制出單芯片1W 級(jí)的大功率LED 封裝的樣品，而且還進(jìn)行多芯片或多器件組合的大功率LED 研制開(kāi)發(fā)，并可提供部分樣品供試用。
    對(duì)大功率LED 封裝技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，目前國(guó)家尚未正式支持投入國(guó)內(nèi)研究單位，很少介入封裝企業(yè)，投入研發(fā)的力度、人力和財(cái)力還很不夠，形成國(guó)內(nèi)對(duì)封裝技術(shù)的開(kāi)發(fā)力量薄弱的局面，其封裝的技術(shù)水平與國(guó)外相比還有相當(dāng)?shù)牟罹唷?br /> 三 功率型 LED 產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵的封裝技術(shù)
    半導(dǎo)體LED 要作為照明光源，常規(guī)產(chǎn)品的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比距離甚遠(yuǎn)，因此LED 要在照明領(lǐng)域發(fā)展關(guān)鍵要將其發(fā)光效率光通量提高至現(xiàn)有照明光源的等級(jí)。功率型LED 所用的外延材料采用MOCVD 的外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)，雖然其外量子效率還需進(jìn)一步提高，但獲得高發(fā)光通量的大障礙仍是芯片的取光效率低。現(xiàn)有的功率型LED 的設(shè)計(jì)采用了倒裝焊新結(jié)構(gòu)來(lái)提高芯片的取光效率，改善芯片的熱特性，并通過(guò)增大芯片面積加大工作電流來(lái)提高器件的光功率，從而獲得較高的發(fā)光通量。除了芯片外器件的封裝技術(shù)也舉足輕重，關(guān)鍵的封裝技術(shù)工藝有：
1 散熱技術(shù)
    傳統(tǒng)的指示燈型LED 封裝結(jié)構(gòu)一般是用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠將芯片裝在小尺寸的反射杯中或載片臺(tái)上，由金絲完成器件的內(nèi)外連接后用環(huán)氧樹(shù)脂封裝而成，其熱阻高達(dá)250~300 /W。新的功率型芯片若采用傳統(tǒng)式的LED 封裝形式將會(huì)因?yàn)樯岵涣级鴮?dǎo)致芯片結(jié)溫迅速上升和環(huán)氧碳化變黃從而造成器件的加速光衰，直至失效，甚至因?yàn)檠杆俚臒崤蛎浰a(chǎn)生的應(yīng)力造成開(kāi)路而失效，因此對(duì)于大工作電流的功率型LED 芯片，低熱阻、散熱良好及低應(yīng)力的新的封裝結(jié)構(gòu)是功率型LED 器件的技術(shù)關(guān)鍵。采用低電阻率、高導(dǎo)熱性能的材料粘結(jié)芯片；在芯片下部加銅或鋁質(zhì)熱沉，并采用半包封結(jié)構(gòu)加速散熱，甚至設(shè)計(jì)二次散熱裝置來(lái)降低器件的熱阻；在器件的內(nèi)部填充透明度高的柔性硅橡膠，在硅橡膠承受的溫度范圍內(nèi)（一般為-40 ~200 ）,膠體不會(huì)因溫度驟然變化而導(dǎo)致器件開(kāi)路，也不會(huì)出現(xiàn)變黃現(xiàn)象。零件材料也應(yīng)充分考慮其導(dǎo)熱、散熱特性，以獲得良好的整體熱特性。
2 二次光學(xué)設(shè)計(jì)技術(shù)
為提高器件的取光效率設(shè)計(jì)外加的反射杯與多重光學(xué)透鏡。
3 功率型LED 白光技術(shù)
常見(jiàn)的實(shí)現(xiàn)白光的工藝方法有如下三種：
1）藍(lán)色芯片上涂上YAG 熒光粉，芯片的藍(lán)色光激發(fā)熒光粉，發(fā)出典型值為500nm~560nm 的黃綠光，黃綠光與藍(lán)色光合成白光。該方法制備相對(duì)簡(jiǎn)單，效率高，具有實(shí)用性。缺點(diǎn)是布膠量一致性較差，熒光粉易沉淀導(dǎo)致出光面均勻性差、色調(diào)一致性不好、色溫偏高、顯色性不夠理想。
2）RGB 三基色，多個(gè)芯片或多個(gè)器件發(fā)光混色成白光，或者用藍(lán)+黃綠色雙芯片補(bǔ)色產(chǎn)生白光。只要散熱得法，該方法產(chǎn)生的白光較前一種方法穩(wěn)定，但驅(qū)動(dòng)較復(fù)雜，另外還要考慮不同顏色芯片的不同光衰速度。
3）在紫外光芯片上涂RGB 熒光粉，利用紫光激發(fā)熒光粉產(chǎn)生三基色光，混色形成白光。但目前的紫外光芯片和RGB 熒光粉效率較低，環(huán)氧樹(shù)脂在紫外光照射下易分解老化。